Líneas de investigación

  • Física de Estado Sólido experimental; síntesis y caracterización de materiales nanoestructurados; compuestos II-VI, perovskitas, materiales 2D basados en dicalcogenuros de metales de transición, propiedades ópticas y de transporte de portadores de semiconductores; espectroscopías ultra-rápidas; procesos electrónicos en catálisis y electrocatálisis.

Líneas de investigación

Bachelor Degree (Physics): University of Calabria (Italy), 1992. Ph.D. (Inorganic Chemistry): University of Calabria (Italy), 1996. During her Ph.D. she made a research stage, from Jul. 1993 to Dec. 1994, at the University of  Montreal, Canada.Postdoc (Theoretical Chemistry): University of Hannover (Germany), Jan. 1997-Sep. 1999.

Líneas de investigación

  • Activación, maduración y diferenciación de linfocitos B en humanos y ratones.
  • Función de las miosinas de clase I en la respuesta inmunológica.
  • Estudio de las inmunodeficiencias primarias humanas.
  • Caracterización de la IgA y el microbioma en humanos.

Líneas de investigación

  • Gravitación teórica.
  • Agujeros de Gusano.
  • Formación de Estructura del Universo.
  • Formación de Galaxias.
  • Materia Oscura.
  • Energía Oscura.

Líneas de investigación

  • Regulación de la expresión genética
  • Marcadores moleculares de diagnóstico y pronóstico de cáncer de mama
  • Biología del Cáncer
  • Biosíntesis y degradación de la pared celular
  • Desarrollo de nanopartículas como sistemas acarreadores de drogas

Líneas de investigación

  • Altas Energías Experimental.
  • Fenomenología de la física de partículas elementales
  • Aplicaciones de detectores de radiación a física de partículas y médica.
  • Desarrollo de detectores para analizar muestras biológicas.
  • Construcción de aceleradores de partículas.
  • Aplicaciones de grafeno y óxido de grafeno para la salud.
  • Desarrollos de instrumentos de medición.

Líneas de investigación

  • Materiales semiconductores
  • Crecimiento de cristales masivos por la técnica Czochralski.
  • Crecimiento de películas epitaxiales por la técnica MOCVD de compuestos III-V (GaAs, GaAs/Si, GaN, InN AlN, y aleaciones)

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